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       在晶體的生長與襯度的制備,氧化工藝,外延工藝中有及化學相淀積(CVD)中,均要用到氫氣。半導體工業對氣體純度的要求極高,微量雜質的“摻入”,將會改變半導體的表面活性。當硅用氯化氫生成三氯化氯SIHCI3后,經過分鎦工藝分離出來,在高溫下用氫還原,達到半導體需求的純度:SIHCI3+H2----Si+3HCI 上述過程中對氫氣的純度要求很高。氫氣中含在微量的一氧化碳和二氧化碳雜質會使襯底氧化,生成多晶硅。如果含有甲烷,則會生成碳化硅進入外層,引起缺陷。過去硅外延時,要求含氧量小于1*10-6,露點低于-70C,現在要求更苛刻。水電解制氫更能達到半導行業體對氫氣的高要求。


現場設備照片